IR센서2 IR 센서의 CMOS 호환화 시도 최근 IR 센서 시장이 빠르게 성장하고 있습니다. 자동차, 보안, 산업 자동화, 헬스케어 등 다양한 분야에서 비접촉식 감지와 열 이미지 기술이 각광받고 있기 때문입니다. 하지만 아직까지도 IR 센서는 대중화가 어렵다는 평가를 받고 있는데요, 그 이유 중 하나는 바로 CMOS 공정과의 비호환성입니다.오늘은 이와 관련해 산업계에서 어떤 CMOS 호환화 시도가 이루어지고 있는지, 왜 이 기술이 중요한지 자세히 정리해보겠습니다.IR 센서와 CMOS 공정이 충돌하는 이유기존의 IR 센서 공정은 VOx(바나듐 옥사이드), a-Si(비정질 실리콘), MCT(수은 카드뮴 텔루라이드) 같은 특수 재료를 사용합니다. 이들 재료는 대부분 일반 CMOS 반도체 팹(Fab)에서는 오염 소스로 분류되며, 공정 호환성이 낮습니다... 2025. 5. 17. IR 센서 공정이 일반 CMOS 팹에서 오염 소스로 간주되는 이유는? IR 센서, 특히 비냉각식 마이크로볼로미터 기반 적외선 센서는 다양한 산업에서 활용되며 수요가 빠르게 늘고 있습니다. 하지만, 이 IR 센서 공정은 일반적인 **CMOS 반도체 생산 라인(Fab)**에서 함께 제조되기 어려운 구조적 문제를 가지고 있어, 많은 기술자들과 연구자들이 이 궁금증을 공유하고 있습니다.오늘은 제가 IR 센서와 CMOS 공정을 공부하면서 느꼈던 의문점, 그리고 전문가들과의 대화를 통해 정리한 내용을 바탕으로 **왜 IR 센서 공정이 일반 팹에 오염을 유발하는가?**에 대해 정리해 보겠습니다.IR 센서 공정의 핵심 재료는 CMOS 공정과 충돌한다IR 센서는 일반적으로 VOx(바나듐 옥사이드), MCT(수은 카드뮴 텔루라이드), 또는 a-Si(비정질 실리콘) 같은 재료를 사용합니다.여.. 2025. 5. 17. 이전 1 다음
